設(shè)想你正為比沙粒還小巧的芯片構(gòu)筑“庇護(hù)所”——它既要屏蔽外界對(duì)脆弱電路的潛在威脅，又要確保與外部設(shè)備無(wú)縫互聯(lián)，同時(shí)還需高效應(yīng)對(duì)散熱堆積與信號(hào)干擾的復(fù)雜挑戰(zhàn)。這，正是集成電路封裝（IC Packaging）的核心意義。

微米世界的競(jìng)爭(zhēng)：激光植球工藝的精進(jìn)之路

封裝技術(shù)的演進(jìn)，始終圍繞“更小、更密、更強(qiáng)”的主線展開(kāi)：從體積龐大的 DIP，到伴隨 SMT 崛起而普及的 QFP，再到 20 世紀(jì) 90 年代出現(xiàn)的 LGA、BGA，封裝技術(shù)在設(shè)計(jì)和工藝上持續(xù)演進(jìn)。進(jìn)入 21 世紀(jì)，倒裝、SiP、WLP 等先進(jìn)封裝技術(shù)快速興起。近年來(lái)，在AI、大算力與移動(dòng)終端的強(qiáng)勁拉動(dòng)下，結(jié)構(gòu)型封裝（SiP）、晶圓級(jí)封裝（WLP）及扇出型封裝（Fan-Out）等技術(shù)快速普及，先進(jìn)封裝市場(chǎng)呈現(xiàn)井噴態(tài)勢(shì)。

Yole Group的數(shù)據(jù)印證了這一趨勢(shì)：2024 年先進(jìn)封裝市場(chǎng)達(dá)460億美元，較2023年回暖后同比增長(zhǎng)19%，預(yù)計(jì) 2030 年將超794億美元，2024-2030年復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá) 9.5%，AI 與高性能計(jì)算需求是主要驅(qū)動(dòng)力。

在這一進(jìn)程中，植球工藝作為先進(jìn)封裝的核心環(huán)節(jié)，直接關(guān)系到最終產(chǎn)品的性能與可靠性。

隨著先進(jìn)封裝中凸點(diǎn)尺寸進(jìn)入微米級(jí)，傳統(tǒng)植球工藝因加工精度有限、熱影響區(qū)大、定制成本高等缺陷，已難以滿足高端生產(chǎn)應(yīng)用的需求。

激光植球技術(shù)正成為解決這些問(wèn)題的關(guān)鍵路徑。它通過(guò)高精度激光聚焦熔化焊球，實(shí)現(xiàn)無(wú)助焊劑焊接，可有效改善傳統(tǒng)網(wǎng)版印刷植球存在的小組件易損傷、精度難控制、助焊劑易污染器件等缺點(diǎn)，更大幅提升了植球的精度與一致性。

破局之道：鐳射沃的50μm精度飛躍

當(dāng)下激光植球雖然憑借其無(wú)接觸、無(wú)需助焊劑、加工工序少、良率高的優(yōu)勢(shì)取得了一定的應(yīng)用，但植球精度受限（長(zhǎng)期停滯在80μm左右）、熱影響范圍不穩(wěn)定、個(gè)性化需求多及定制成本高等問(wèn)題仍長(zhǎng)期制約該技術(shù)的進(jìn)一步推廣。

針對(duì)上述行業(yè)存在的問(wèn)題，國(guó)內(nèi)激光錫焊領(lǐng)域頭部企業(yè)——鐳射沃給出了全新的解決方案。

據(jù)了解，鐳射沃是一家提供智能激光解決方案的領(lǐng)先公司，自2003年成立以來(lái)，專注于激光微型焊球噴射焊接系統(tǒng)、切割、打標(biāo)和AOI設(shè)備，在3C電子、半導(dǎo)體、汽車電子等領(lǐng)域持續(xù)深耕。

鐳射沃激光科技推出的MLS1112H全自動(dòng)激光植球設(shè)備，同時(shí)兼具速度、精度及穩(wěn)定性，完美地解決了上述制約激光植球技術(shù)進(jìn)一步推廣的困境。

核心技術(shù)：MLS1112H設(shè)備的創(chuàng)新解析

鐳射沃采用獨(dú)創(chuàng)性微氣壓傳感的錯(cuò)位緊湊型高速非接觸微球激光焊接工藝與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，拉高了行業(yè)內(nèi)“更小、更快、更可靠”的新標(biāo)準(zhǔn)。

• 精度突破：50μm微錫球焊接技術(shù)，行業(yè)內(nèi)最小尺寸應(yīng)用，XY軸精度差控制在±2μm以內(nèi)，產(chǎn)品良率可達(dá)99.8%以上，可應(yīng)用于芯片植球領(lǐng)域，大幅提升了封裝密度和產(chǎn)品性能。

• 效率提升：實(shí)現(xiàn)7球/秒高速放球，優(yōu)于國(guó)際水平3-4球/秒，顯著提高了生產(chǎn)效率。

• 智能化集成：全自動(dòng)化設(shè)計(jì)，配合AOI視覺(jué)檢測(cè)和高精度CCD定位，確保高良率和超高精度。適用于晶圓級(jí)封裝（WLCSP）、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等各種先進(jìn)半導(dǎo)體封裝場(chǎng)景。

傳統(tǒng)激光植球設(shè)備在面對(duì)多樣化產(chǎn)品需求時(shí)，在切換過(guò)程中，往往需要重新編程、調(diào)整坐標(biāo)，耗時(shí)且適配復(fù)雜，導(dǎo)致設(shè)備定制研發(fā)周期長(zhǎng)、投入高，制約了中小企業(yè)的應(yīng)用普及。

對(duì)此，鐳射沃憑借在激光精密焊接領(lǐng)域的深厚積累，新推出了MLS1112H全自動(dòng)激光植球設(shè)備，該設(shè)備僅需編程及坐標(biāo)輸入，即可快速完成產(chǎn)品切換，耗時(shí)僅10余分鐘。這一特性顯著提升生產(chǎn)效率，更適應(yīng)產(chǎn)品快速迭代需求，為高端制造領(lǐng)域提供高效、靈活的技術(shù)解決方案。此外，該設(shè)備通過(guò)微氣壓傳感實(shí)時(shí)反饋進(jìn)行閉環(huán)控制，可實(shí)現(xiàn)焊錫覆蓋率＞90%，良率99.8%以上。

傳統(tǒng)植球工藝VS鐳射沃激光植球工藝

結(jié)語(yǔ)：未來(lái)布局，重塑半導(dǎo)體封裝的可能性

在后摩爾定律時(shí)代，先進(jìn)封裝對(duì)于芯片及系統(tǒng)整體性能提升的重要性愈發(fā)明顯，其中，封裝設(shè)備作為核心載體，其精度與可靠性直接決定良品率與成本，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié)。唯有實(shí)現(xiàn)設(shè)備自主可控，才能突破技術(shù)封鎖，在全球競(jìng)爭(zhēng)中掌握主動(dòng)權(quán)，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革。

鐳射沃研發(fā)的MLS1112H全自動(dòng)激光植球設(shè)備在50μm植球領(lǐng)域的突破，不僅是精密制造技術(shù)的升級(jí)，更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向小型化、高性能化演進(jìn)的關(guān)鍵支撐。從消費(fèi)電子到半導(dǎo)體封裝，其技術(shù)應(yīng)用正在重塑多個(gè)行業(yè)的生產(chǎn)范式。憑借全自主研發(fā)的硬件實(shí)力、智能化的軟件生態(tài)和深度定制的服務(wù)能力，鐳射沃正推動(dòng)中國(guó)芯片封裝設(shè)備產(chǎn)業(yè)邁向新的高度。