在 “雙碳” 目標與高端制造升級的雙重驅動下，第三代半導體成為全球科技競爭的核心賽道。碳化硅（SiC）憑借遠超硅基材料的電學性能，在新能源汽車功率模塊、光伏逆變器、5G 基站射頻器件等領域實現規?；瘧?。

然而，SiC 材料制備涉及高溫升華、精密拋光、外延生長等復雜工藝，極易產生多類型缺陷，且缺陷尺寸已進入納米級范疇。傳統檢測手段難以兼顧 “全缺陷覆蓋、高精度檢出、大尺寸兼容”三大核心需求，成為制約 SiC 產業規?；慨a的關鍵瓶頸。

行業挑戰

當前 SiC 襯底與外延片檢測領域面臨多重技術瓶頸：

1. 缺陷多樣性與復雜性：SiC 缺陷類型涵蓋微管、層錯、位錯等晶體缺陷，以及劃痕、小坑、臺階聚集等表面缺陷，不同缺陷的形態、尺寸差異大，傳統單一檢測手段難以全面覆蓋；

   
   

2. 檢測靈敏度要求高：隨著 SiC 器件向高功率、小尺寸方向發展，對 80nm 級以下微小缺陷的檢出能力成為核心訴求，傳統光學檢測設備難以滿足高精度需求；

   
   

3. 大尺寸兼容難題：行業正從 6 寸向 8 寸、12 寸大尺寸晶圓過渡，檢測設備需適配不同尺寸晶圓的高效檢測，同時保證邊緣與中心區域的檢測一致性；

   
   

4. 智能化與量產適配不足：人工缺陷分類效率低、誤差大，傳統設備缺乏 AI 賦能的自動化分類能力，難以匹配規?；慨a的節拍需求；

   
   

5. 多維度檢測需求：單一光學通道無法兼顧表面缺陷與晶體缺陷的同步檢測，需整合多維度光學技術實現缺陷全面提取。

華屹針對性破解 SiC 檢測行業痛點，推出 Athena HS3500 SiC 襯底和外延 AOI 檢測設備。該設備專為 SiC 拋光襯底片與同質外延片的高質量檢測設計，融合專用多通道光學檢測系統與缺陷智能分類 AI 引擎，實現從表面缺陷到晶體缺陷的全類型、高精度檢出與分類，為 SiC 材料質量控制與工藝優化提供數據支撐，助力企業提升良率、降低生產成本，加速第三代半導體產業化進程。

檢測項目：

·襯底：劃痕、小坑、凸起、污漬、微管(MP)、層錯(SF)、位錯(TED、TSD、BPD)etc.

·外延：劃痕、小坑、三角形缺陷、胡蘿卜缺陷、直線形缺陷、彗星缺陷、掉落顆粒物、臺階聚集、位錯、層錯等

主要指標：

·支持SiC襯底、外延片檢測

·支持6寸、8寸、12寸晶圓檢測

·檢測靈敏度：80nm@DF

光學方案：

·雙光源協同：搭載 355nm 激光光源與 LED 光纖光源，激光光源憑借短波特性實現微小缺陷的高分辨率成像，LED 光纖光源保障大面積檢測的均勻性，兼顧檢測精度與效率；

·AI 智能引擎：集成 iCognitiveFlow 自主研發 AI 引擎，通過海量缺陷數據訓練實現缺陷的自動識別、提取與分類，大幅降低人工干預成本，提升檢測一致性；

·多通道光學系統：整合暗場（DF）、微分干涉相差（DIC）、光致發光（PL，含 NUV 近紫外、VIS 可見光波段）等多通道檢測技術。DF 通道高效捕捉表面劃痕、小坑等起伏缺陷；DIC 通道清晰呈現臺階聚集、晶體邊界等細微結構差異；PL 通道精準識別微管、層錯、位錯等晶格缺陷，多通道互補實現缺陷無死角檢測。

在第三代半導體產業加速突圍的背景下，SiC 材料質量控制成為產業鏈核心競爭力的關鍵。華屹 Athena HS3500 SiC 襯底和外延 AOI 檢測設備，以多通道光學 + AI 智能為核心，針對性解決行業缺陷檢測多樣性、高精度、大尺寸兼容等痛點，實現從表面到晶格、從 6 寸到 12 寸的全場景覆蓋。其高靈敏度、高效率、高自動化的產品特性，不僅為 SiC 企業提供精準可靠的質量檢測方案，更通過工藝數據反饋助力生產工藝持續優化，為第三代半導體規?；慨a注入核心動力。

華屹將持續深耕半導體檢測技術創新，以更先進的產品與服務賦能產業鏈上下游，攜手合作伙伴共筑第三代半導體質量控制防線，推動行業高質量發展。