INNODISK DRAM 產品

核心優勢

●定制化服務

宜鼎提供硬件定制服務，以滿足各類應用的特定需求。

●加固夾扣

采用堅固的PANLITE? PC材料制成，可牢固卡扣在DRAM插槽兩側，顯著提升模組的結構穩定性與抗沖擊能力。

●散熱片

DRAM模組附加組件，通過被動散熱可將模組溫度降低4%至5%。

●三防涂層

三防涂層在元器件表面涂覆一層化學保護材料，有效抵御濕氣、污染物、粉塵以及酸堿腐蝕。涂層厚度控制在0.03 mm至0.13 mm之間，符合IPC-A-610電子組件標準。

●寬溫 / 極寬溫支持

宜鼎寬溫/極寬溫DRAM模組專為極端環境條件設計。寬溫系列工作溫度范圍為-40°C至95°C，極寬溫系列則支持-40°C至125°C，并采用30μ"/45μ"金手指以確保高可靠性與穩定性能。

●抗硫化處理

通過在電阻表面覆蓋抗硫化材料，有效防止硫化腐蝕，保障產品在惡劣工業環境下的長期穩定運行。該特性已全面應用于宜鼎所有DDR4及DDR5內存模組。

●側邊填充

側邊填充技術可顯著提升設備在強震動或嚴苛溫度循環環境下的可靠性，并延長產品使用壽命。該工藝在內存芯片（DRAM IC）的三個側面注入樹脂，對BGA焊點與PCB連接處進行加固，使模塊可承受高達1.5倍的機械應力。

●保修政策

宜鼎DRAM產品提供終身質保，涵蓋檢測、維修及部件更換服務。

DRAM產品系列

     宜鼎工業級DRAM產品系列涵蓋DDR5、DDR4、DDR3、DDR2、DDR1及SDRAM，是專為嵌入式系統與服務器應用設計開發，提供高品質、一站式的完整解決方案。全系列產品均標配質保，并可選配多項增值服務，包括三防涂層（Conformal Coating）、寬溫/超寬溫支持、加固結構設計（Rugged Design）以及側邊填充（Side Fill）等，滿足多樣化的定制化需求。

DRAM SERIES

Registered DIMM

適用于服務器與AIOT應用場景

? 容量：2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 32GB / 64GB

? 代際：DDR3 / DDR4 / DDR5

? 速率：1333 / 1600 / 1866 / 2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 / 5600 / 6400 MT/s

DRAM SERIES

Mini DIMM

適用于服務器應用

? 容量：2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 32GB

? 代際：DDR3 / DDR4? 速率：1600 / 2133 / 2400 / 2666 MT/s

? 功能特性：支持 Registered（寄存式）與 ECC（錯誤校正碼）

DRAM SERIES

VLP系列

適用于服務器、AIoT 及工業應用場景

? 容量：1GB / 2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 32GB

? 代際：DDR2 / DDR3 / DDR4 / DDR5

? 速率：1333 / 1600 / 2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 / 5600 MT/s

? 封裝形態：SODIMM、UDIMM、RDIMM

? 功能特性：支持 Registered（寄存式）、ECC（錯誤校正碼）及非 ECC（non-ECC）配置

DRAM SERIES

Mounting Rugged SODIMM

適用于高振動、高沖擊等嚴苛環境

? 容量：4GB / 8GB / 16GB

? 代際：DDR4

? 速率：2133 / 2400 / 2666 MT/s

? 結構特性：支持定制化安裝孔位，便于牢固固定于設備主板

? 功能特性：可選配 ECC（錯誤校正碼）或非 ECC（non-ECC）版本

DRAM SERIES

寬溫系列

適用于嚴苛環境下加固型、工業及服務器應用

? 容量：1GB / 2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 32GB

? 代際：DDR2 / DDR3 / DDR4 / DDR5

? 速率：533 / 667 / 800 / 1333 / 1600 / 2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 / 5600 MT/s

? 工作溫度范圍（Tc）：-40°C 至 95°C

? 功能特性：支持 Registered（寄存式）、ECC（錯誤校正碼）及非 ECC（non-ECC）配置

DRAM SERIES

極寬溫系列

適用于 AIoT 與工業級嚴苛環境應用

? 容量：8GB / 16GB / 32GB

? 代際：DDR4 / DDR5

? 速率：2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 MT/s

? 工作溫度范圍（Tc）：-40°C 至 105°C / 125°C（依具體型號而定）

? 功能特性：可選配 ECC（錯誤校正碼）或非 ECC（non-ECC）版本

DRAM SERIES

ECC系列

適用于 AIoT 與工業級應用場景

? 容量：1GB / 2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 24GB / 32GB / 48GB

? 代際：DDR2 / DDR3 / DDR4 / DDR5

? 速率：667 / 800 / 1333 / 1600 / 2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 / 5600 / 6400 MT/s

? 功能特性：標配 ECC（錯誤校正碼）

DRAM SERIES

Non-ECC系列

適用于對成本敏感或無需錯誤校正功能的AIoT 與工業應用場景

? 容量：128MB / 256MB / 512MB / 1GB / 2GB / 4GB / 8GB / 16GB / 24GB / 32GB / 48GB

? 代際：SDRAM / DDR1 / DDR2 / DDR3 / DDR4 / DDR5

? 速率：100 / 133 / 333 / 400 / 533 / 667 / 800 / 1333 / 1600 / 2133 / 2400 / 2666 / 2933 / 3200 / 4800 / 5600 / 6400 MT/s

? 功能特性：非 ECC（non-ECC）設計，適用于對內存成本與功耗有優化需求、且無需硬件級錯誤校正的系統環境

DRAM SERIES

MRDIMM

適用于 AI 服務器、高性能計算（HPC）及云計算等高帶寬、高密度應用場景

? 單條容量：最高可達 128GB

? 內存代際：DDR5? 傳輸速率：8800 MT/s

? 模塊尺寸：133.35 mm × 31.25 mm（與 RDIMM 尺寸一致，兼容現有插槽）

? 工作溫度范圍（Tc）：0°C 至 95°C

DRAM SERIES

CXL內存模組

適用于高密度數據中心計算場景，通過 CXL 技術實現內存池化與高效擴展

? 單模塊容量：64GB

? 內存代際：DDR5

? 帶寬：31.5 GB/s? 封裝形態：E3.S 2T

? CXL 協議兼容性：支持 CXL 1.1 與 CXL 2.0

? CXL 類型：Type 3（支持 CXL.mem 內存語義與 CXL.io I/O 功能）

? 接口標準：PCIe Gen5 x8

? 連接器類型：EDSFF 2C（84 針）

? 工作溫度范圍：0°C 至 70°C

DRAM SERIES

LPDDR5X CAMM2內存模組

適用于 AI 筆記本電腦、便攜式設備及有加固需求的移動應用場景

? 單條容量：最高可達 64GB

? 內存類型：LPDDR5X

? 傳輸速率：8533 MT/s

? 封裝形態：CAMM2

? 工作溫度范圍（Tc）：0°C 至 85°C

DRAM SERIES

DDR5 CAMM2

適用于加固型邊緣計算設備、AI 訓練及 AI 推理系統

? 單條容量：最高可達 48GB

? 內存代際：DDR5? 傳輸速率：6400 MT/s

? 封裝形態：CAMM2

? 工作溫度范圍（Tc）：0°C 至 95°C

JEDEC標準模組尺寸

DRAM垂直應用市場